Ex-funcionário da gigante sul-coreana descreveu em tribunal o desvio de documentos confidenciais utilizados no fabrico de memórias DRAM
Informações incluíam um plano de produção com cerca de 600 etapas e dados técnicos associados ao processo de 18 nanómetros
Um antigo engenheiro da Samsung Electronics revelou, durante um julgamento na Coreia do Sul, como a fabricante chinesa ChangXin Memory Technologies (CXMT) terá utilizado informações confidenciais da empresa sul-coreana para acelerar o desenvolvimento das suas memórias DRAM. O testemunho foi prestado por um antigo funcionário identificado como Jeon, condenado a sete anos de prisão pelo desvio de segredos comerciais.
Jeon trabalhou durante 28 anos na Samsung antes de abandonar a empresa e ingressar na CXMT, em 2016. Segundo o seu depoimento, os responsáveis da fabricante chinesa decidiram aproveitar informações provenientes da Samsung em vez de desenvolver a tecnologia exclusivamente através de investigação própria.
Entre os materiais alegadamente desviados estava um Plano de Receita de Processo (PRP) da Samsung, constituído por aproximadamente 600 etapas. O documento descrevia a sequência necessária para produzir memórias DRAM e incluía especificações relacionadas com equipamentos e parâmetros utilizados durante o fabrico.
As informações incluíam dados sobre implantação, ferramentas, temperaturas, pressão e técnicas destinadas a optimizar o rendimento da produção, com particular relevância para o processo de fabrico de 18 nanómetros. O acesso a este tipo de informação pode reduzir significativamente o tempo necessário para desenvolver e aperfeiçoar uma nova tecnologia de produção de semicondutores.
A alegação ganha importância devido à complexidade da produção de memórias DRAM. O conhecimento de uma sequência detalhada de fabrico não permite, por si só, reproduzir imediatamente uma linha de produção, uma vez que também são necessários equipamentos adequados, conhecimento de engenharia e processos de optimização. Ainda assim, o acesso a documentação interna pode eliminar anos de tentativa, erro e investigação.
Segundo a informação divulgada, a CXMT começou a produzir memórias DDR4 em 2019, utilizando um processo de 22 nanómetros, e avançou posteriormente para 18 nanómetros, alcançando essa etapa em 2023. O desenvolvimento ocorreu num período relativamente curto face aos ciclos normalmente necessários para desenvolver novos processos industriais de fabrico.
A acusação é particularmente relevante para a indústria mundial de semicondutores, onde o domínio das tecnologias de fabrico de memória representa uma vantagem estratégica. Samsung, SK hynix e Micron estão entre os principais produtores mundiais de memórias, enquanto fabricantes chineses procuram aumentar a capacidade doméstica do país e reduzir a dependência de fornecedores estrangeiros.
A disputa também ocorre num contexto de crescente competição tecnológica entre a China, os Estados Unidos e a Coreia do Sul. As memórias DRAM são componentes fundamentais para computadores, smartphones, servidores e sistemas de inteligência artificial, tornando o domínio da produção uma questão tanto económica como estratégica.
A CXMT, sediada na China, não comentou até ao momento as acusações aAntigo engenheiro revela como fabricante chinesa terá obtido tecnologia de memórias da Samsungpresentadas no processo judicial. O testemunho do antigo engenheiro terá, contudo, aumentado a pressão sobre a empresa e poderá contribuir para futuras iniciativas judiciais relacionadas com alegada violação de segredos comerciais.
O caso demonstra também o valor económico da propriedade intelectual na indústria de semicondutores. Documentação aparentemente interna pode representar anos de investigação e investimentos elevados, fazendo com que o acesso ilegal a processos de fabrico seja considerado uma ameaça directa à competitividade das empresas.
O testemunho em tribunal coloca sob escrutínio a rápida evolução tecnológica da CXMT e evidencia como o conhecimento industrial acumulado pelas grandes fabricantes de semicondutores se tornou um activo estratégico na disputa global pelo domínio das memórias.
